三星研发全新内存技术LLW DRAM，拥有超高带宽、低延迟、低功耗_三星内存芯片

通信世界网消息（CWW）三星近日透露正积极研发一种新型内存，名为LLW DRAM，意为低延迟宽I/O(Low Latency Wide I/O)DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示，LLW DRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模型（LLM）的设备，但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。

LLW DRAM是一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟特性，并拥有高达128 GB/s的带宽（据推测是每个模块或堆栈）。相比之下，一个128位DDR5-8000内存子系统可以提供类似的128 GB/s带宽。同时，LLW DRAM的另一个重要特性是其1.2pJ/bit的超低功耗，但三星并未透露其LLW DRAM在达到该功耗时的具体数据传输速率。

目前，三星并没有透露太多关于LLW DRAM的细节，但该公司此前一直致力于探索宽接口内存技术（例如GDDR6W）。外界推测，LLW DRAM可能借鉴了GDDR6W的技术，使用Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM器件集成到一个封装中，以扩展接口并兼顾容量、性能和低功耗。

考虑到三星于2022年第二季度将GDDR6W标准化，并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端PC，LLW DRAM可能定位于其他领域。考虑到该标准的低功耗特性，可以将其应用于具有AI功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑，甚至汽车领域。