通信世界网消息(CWW)三星近日透露正积极研发一种新型内存,名为LLW DRAM,意为低延迟宽I/O(Low Latency Wide I/O)DRAM。据称,这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示,LLW DRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模型(LLM)的设备,但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。
曝荣耀magic5渲染图
LLW DRAM是一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟特性,并拥有高达128 GB/s的带宽(据推测是每个模块或堆栈)。相比之下,一个128位DDR5-8000内存子系统可以提供类似的128 GB/s带宽。同时,LLW DRAM的另一个重要特性是其1.2pJ/bit的超低功耗,但三星并未透露其LLW DRAM在达到该功耗时的具体数据传输速率。
vivos12 联发科天玑1100怎么样
目前,三星并没有透露太多关于LLW DRAM的细节,但该公司此前一直致力于探索宽接口内存技术(例如GDDR6W)。外界推测,LLW DRAM可能借鉴了GDDR6W的技术,使用Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM器件集成到一个封装中,以扩展接口并兼顾容量、性能和低功耗。
行业分析知乎
考虑到三星于2022年第二季度将GDDR6W标准化,并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端PC,LLW DRAM可能定位于其他领域。考虑到该标准的低功耗特性,可以将其应用于具有AI功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑,甚至汽车领域。