三星电子：明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺_三星电子近一年的最新动态

10 月 8 日消息，据 DigiTimes，三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。

结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，半导体行业将从 2024 年起全面反弹。三星预计从 2024 年开始将会有部分地区的 DRAM 和 NAND Flash 供应出现短缺。

一位三星高管提到，大量半导体公司已经逐步完成库存调整，预计 NAND 业务的亏损将大幅减少。

证券业人士表示，考虑到库存逐步稳定，客户已开始接受三星提出的涨价要求；预计从第四季度开始，存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。

DigiTimes 指出，随着双十一促销进入热身阶段，下游厂商备货意愿增加，尤其在 NAND Flash 报价逐月上涨推动下，SSD 厂商开始准备补货，而市场也将有望回到 2021 年同期表现。

参考此前报道，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据 TrendForce 分析师预测，NAND 闪存价格将在第 4 季度继续上涨，估计增长约 3% 至 8%，高于最初预测的 0% 至 5%。