美国芯片法案又有新玩法 台积电恐被迫分享“超额利润”「美国芯片放行」

美国芯片法案正式启动，包括建厂补助390亿美元和130亿美元的科学研究经费补贴，总计补助款520亿美元，正式受理企业的申请。不过，传出该法案有几个让半导体业者“傻眼”的新游戏规则，像是受补贴企业如台积电等，须和美国政府分享“超额利润”。

没错，台积电的美国亚利桑那州晶圆厂如拿了美国的补助款，以后赚的钱恐怕要让美国政府抽走一大笔钱。据了解，美国商务部的新规定是只要拿了超过1.5亿美元的补款，需要和美国政府分享高于议定门槛的一部分利润，分润金额最高不会超过直接补助的75%。

这当中有两个待商议之处：第一，何谓超额利润？这部分要如何与受补助企业商讨出一个合理数字，或以谁的获利标准作为界定？难道美国要拿格芯GlobalFoundries的获利水平做标准。

第二是指美国厂运营下来的超额利润要给美国政府分享？ 还是整个台积电的获利都要拿出来分享？应该不是后者，不然恐怕股东会大抗议。

美国商务部长Gina Raimondo指出，将在未来几周发布详细的规定办法，让参与企业更清楚有哪些红线。

美国芯片法案的新游戏规则也有对英特尔不利之处。像是成功申请补助的企业，将被禁止拨款买回库藏股减资。英特尔自2005年以来已花费超过1000亿美元购回自家股票，并以此支付股息。

另外，多数项目会是直接现金补贴约资本支出的5%～15%之间，这点对英特尔会比较辛苦。因为英特尔的营运尚未有大转机，在自有资金有限下，变成有80%以上的建厂资金都要自己准备。

再者，英特尔也无法为了要拿更多的补助款，而去规划更大的资本支出，一来是自有资金有限，二来是英特尔手上并没有这么多的晶圆代工客户，不可能一口气去大扩产。

专家指出，美国芯片法案设立的门槛比法律更多，预计将提高在美国拿补助设厂企业的成本，诱因大大减少。

另一个受注目的条款，但也是之前大家都知道的，获得补助款的企业将被限制在未来十年内都不得在中国等国家扩张产能，当然也包括从事敏感技术的研发，或是技术授权等等。

这部分也是有很多不确定之处，像是限制在中国大陆扩充产能，是针对哪些制程技术做出限制？

最直接受到影响的应该是三星的西安晶圆厂，因为该厂房是最先进的NAND Flash技术，未来将面临制程技术无法往前推进的进退两难状况。 SK海力士在无锡的DRAM厂也将面临同样的问题，一旦争取美国的芯片法案补贴，未来十年将无法在中国继续扩充先进的半导体技术产能。