江波龙宣布,继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。其采用了BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,有望应用于eMMC、SSD等产品上,为江波龙存储产品组合带来更多可能性。
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江波龙近年来加大了对存储芯片的自主研发投入,引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才,除了精通闪存芯片的设计技术,还对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解。在此基础上,江波龙可根据特定需求设计出不同容量和接口的闪存芯片,为客户提供定制化服务。
在产品测试方面,江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路,配合其自主开发的测试平台,实现了高效的生产测试,以确保交付客户的闪存芯片具有高度的一致性和可靠性。目前江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力,并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
此外,江波龙已构建起存储芯片完整的垂直整合能力,包括芯片设计、产品化和生产测试。其中元成苏州已在国内率先实现了多款NAND Flash、DRAM、MCP产品的量产,智忆巴西(Zilia)则使江波龙能够更好地聚焦自身主业的海外市场开拓。