消息称三星 SF3工艺已开始试生产，争取半年内将良率提至 60%

IT之家 1 月 21 日消息，Chosun 援引业内人士消息称，三星电子代工厂已开始针对其第二代 3nm 级工艺SF3 进行试生产。据报道，该公司计划在未来六个月内将良率提高至 60% 以上。

消息人士称，三星正在测试 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性；首个采用三星 SF3 工艺的芯片预计将会是专为可穿戴设备设计的应用处理器，计划用于今年晚些时候发布的 Galaxy Watch 7 等产品。

同时，Chosun预计该公司还将为明年的 Galaxy S25 系列智能手机所搭载的 Exynos 2500 芯片使用这一节点。

三星此前表示，计划在 2024 年下半年开始大规模量产 SF3 芯片；2023-2024 年将以 3nm 生产为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP+)，而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2nm 节点。

据三星介绍，SF3 节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。

IT之家通过TrendForce 数据获悉，台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场 57.9% 的份额。三星电子以 12.4% 的份额位居第二，两家公司之间的差距超过 40 个百分点。