三星电子2027年将量产1.4纳米芯片「三星将斥资 400 亿日元赴日建厂，瞄准尖端芯片封装技术」

IT之家 12 月 21 日消息，近日，三星宣布将在未来五年内向日本投资高达 400 亿日元（IT之家备注：当前约 19.92 亿元人民币），用于建设一座先进芯片研发设施，地点位于日本神奈川县横滨市。

据悉，该研发设施将专注于尖端芯片封装技术的研究。早在今年 3 月，三星就表示有意在神奈川建立芯片封装工厂，以加强与日本芯片设备和材料厂商的合作。三星在该地区已拥有研发中心，此次投资将进一步深化其与日本科技界的联系。值得一提的是，日本政府也计划提供高达 200 亿日元（当前约 9.96 亿元人民币）的补贴，以重振该国的芯片研发和制造生态系统。

这一举措恰逢中美日芯片博弈日益激烈之际，三星自去年起便开始大力提升芯片封装技术，以期在这一关键环节上获得竞争优势。芯片封装是指将多个组件封装在单个芯片上，从而实现更小体积和更高能效。

目前，三星是全球第二大半导体芯片制造商，但其晶圆代工市场份额远低于其竞争对手台积电。该公司计划在未来几年内投资 2300 亿美元，以超越台积电，成为全球最大的芯片制造商。