英特尔10nm工艺布局_英特尔CEO称Intel 18A优于台积电N2工艺，量产时间也更早

英特尔几乎将赌注都压在了快速推进制程节点上，毕竟按照公布的工艺路线图，需要完成“四年五个制程节点”的计划，这将直接影响英特尔代工服务（IFS）未来业务的拓展。英特尔准备将Intel 18/20A推向市场，希望能重新夺回半导体制造技术的领先地位。

近日，英特尔首席执行官帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）接受了媒体的采访，认为“Intel 18A比台积电N2工艺更好一些”。原因是Intel 18A工艺采用了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，比竞争对手领先好几年，能为芯片提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本、更好的供电和更高的性能。此外，帕特-基尔辛格还暗示N2工艺太贵了，Intel 18/20A有机会从寻求更高成本效益的客户那里获得订单。

按照英特尔新的说法，采用Intel 18A工艺制造的芯片将会在2024年第一季度出现，首批量产产品会在2024年下半年上市。相比之下，台积电的N2工艺要等到2025年下半年才量产，理论上英特尔在时间上还要领先一年。虽然台积电在N2工艺上引入了GAA架构晶体管，但仍然采用传统的供电技术，因此在英特尔看来技术上并不如Intel 18A工艺。

当然，台积电并不认同这种说法。明年台积电将带来N3P工艺，将提供与Intel 18A相当的能效、性能和晶体管密度，而下一代的N2更是全面优于N3P和Intel 18A工艺。