三星3nm芯片良率已超台积电「紧追台积电 三星3nm工艺已量产三款芯片：功耗降低50%」

快科技7月29日消息，在3nm节点，三星去年6月份就宣布量产，进度比台积电还快，不过后者拿到了苹果等大客户的订单，三星没有重量级客户，这方面有所不如。

在日前的财报中，三星表示3nm工艺的良率已经稳定，代工厂正在顺利量产第三款3nm芯片，不过三星没有透露是为谁代工的。

日前有传闻称AMD也在寻求三星3nm工艺代工，但AMD的官方态度很模糊，没有承认，但也表示确实在考虑台积电以外的晶圆代工伙伴。

三星的3nm工艺放弃FinFET晶体管技术，直接上了GAA晶体管，技术很激进。

根据三星说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。

不过三星3nm工艺初期的良率确实不高，最近才传闻提升到了60%，比台积电的3nm工艺55%的良率要好。

此外，除了第一代3nm工艺之外，三星还提到第二代3nm工艺及2nm工艺的进展良好，很有信心的样子。