三星4nm工艺晶体管密度「消息称三星第三代4nm芯片将于2023年上半年量产」

IT之家 3 月 13 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星将于今年上半年开始量产第三代 4 纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗和做出面积改进。

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三星电子 12 日公布的《三星电子事业报告书》中显示，三星将于今年上半年开始量产基于 4nm 工艺的 2.3代芯片。

这是三星电子首次提及 4 纳米后续版本的具体量产时间。与 4 纳米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代产品表现出了更好的性能，而且还带来了更低的功耗和更小的面积。

不过，三星电子在 SF4E 芯片实现商用之后在芯片产量的管理上也遇到了一系列难题，最终因为能耗表现不佳再加上产能限制将大客户高通拱手让给了台积电。

业内人士估计，三星电子目前 4 纳米工艺良率可达到 60%，而台积电同类型良率可达到 70~80%。专家们认为，三星电子良品率正在迅速提高，后续产品的量产也在加快。

随着三星电子在先进工艺上不断突破，在性能提高的前提下保证产能，预计可在 5nm 级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。

相信常看IT之家的用户大都清楚，当下最先进的半导体工艺是 3nm 级别，但无论是台积电还是三星目前的主要产品还是 4nm 和 5nm。

根据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据，截至去年第三季度，4 纳米和 5 纳米工艺占销售额占比最高，达到了 22%，超过了 6 纳米和 7 纳米工艺的 16% 和 16、14 和 12 纳米工艺的 11%。