intel台积电5nm工艺「英特尔硬碰台积电，Intel 20A、Intel 18A 工艺研发已获突破」

IT之家 3 月 6 日消息，英特尔在 2022 年第三季度财报中，透露他们已经签订了全球 TOP10 半导体设计厂商中的 7 家。此外，英特尔还表示他们要在四年内快速发展五个制程节点，夺回全球半导体龙头宝座，重铸往日荣光，备受外界瞩目。

据台湾经济日报，Intel 20A、Intel 18A 已经流片（设计定案）。这是该公司近期给出最新的 2 纳米以下制程技术进展，让市场更关注其与台积电之间的制程技术竞争。

英特尔高级副总裁暨中国区董事长王锐近日表示，“半导体行业每一个巨大的下跌都会复苏，我们对 IDM2.0 的战略深信不疑，它最大的挑战是我们内部的执行力。没有人喜欢（2022 年）Q4 英特尔的财报，我们也不可能不做调整。”

目前围绕着 IDM2.0 战略，英特尔欲从三方面进行突围。首先是发展代工业务，英特尔按照 4 年 5 个节点，计划在 2025 年重新取得制程技术的领先地位，并且通过“系统级代工”建立晶圆厂的差异化。

参考IT之家此前大量报道，英特尔近几年制程技术规划从 Intel 10 逐渐迈入到 Intel 7、Intel 4 制程，接下来要还要向着 Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 制程不断发展。

据王锐介绍，Intel 7 已经大规模量产，Intel 4 将于今年下半年上场，将用于酷睿处理器（Meter Lake），Intel 3 正在按计划推进，Intel 20A（2 纳米）、Intel 18A（1.8 纳米）的测试芯片已经流片。

值得一提的是，先前市场还曾传出英特尔 3nm 制程技术开发延迟的消息，不过后来遭英特尔 CEO 基辛格否认。他强调相关计划都在按预期进行，迄今为止所有已经公布的3nm 项目都将在 2024 年发布。

按照规划，英特尔的 Granite Rapids 及 Sierra Forest 系列处理器均将采用自家 Intel3 制程生产。根据英特尔先前公布信息，Intel 3 可进一步汲取 FinFET 最佳化优势、提升 EUV 使用比例，并带来更多改进。与 Intel 4 制程相较，Intel3 大约可提供 18％的每瓦效能提升，预计从今年下半年逐渐开始生产。

王锐也强调，英特尔非常坚信，到 2025 年时，能够重新回到领先地位。