ddr5 超频「玩DDR5内存超频，你需要了解这些知识点」

14 代酷睿如期发布了，虽然从绝 对性能来看提升幅度不大，但改进优化了内存控制器，对高频内存支持更好，一键XMP到8000MHz比之前就更加轻松了。也可以理解为在DDR5 内存超频上， 14 代新酷睿平台是占有优势的。

不过，DDR5 内存超频并不是简单的1+1=2，过程还是那么折腾，一点也不简单。接下来，就跟大家分享一些玩DDR5 内存超频需要了解的知识点。

一、CPU的选择

超DDR5 内存，CPU是非常重要的。一般选择带K后缀的型号，因为它们不锁倍频，不锁SA电压，对高频内存的支持更好。同时，一般也拥有更好地体质。想要超到8000MHz，自然需要给内存控制器加电压，才能稳定运行。这里就给大家推荐i7 14700K。

二、主板的选择

主板的话，选华硕，技嘉，微星三大品牌。Z系主板定位高端，往往比B系主板具备更好的用料和超频性能，厂商也会在上面做更多的超频优化。想要冲击DDR5 高频率，建议选两槽内存的旗舰级Z790 主板。

三、内存的选择

相比于CPU与主板，内存的选择至关重要。而选择超频DDR5 内存，相当于选择内存颗粒。内存颗粒体质的好坏，直接影响到超频极限。目前内存颗粒主流有三家：海力士，三星和美光。D4 时代，三星B-Die颗粒是领先的存在。到了D5 时代，那就是海力士颗粒的天下，海力士的A-Die，M-Die颗粒都很能超。

如果是小白用户，也想玩超频。那一定要选择支持XMP3. 0 或EXPO技术的DDR5 内存。这样一键超频，让内存运行在高频下，不用手动去调整参数。

这个双 11 选择能超的DDR5 内存，可以考虑一下佰维 WOOKONG DX100 DDR5 RGB内存套装。

DX100 采用由高精度自动化设备严选海力士原厂颗粒，保证颗粒体质的一致性和高品质，减少人工筛选误差和盲区，保证超频潜力被充分挖掘出来。

这款DDR5 内存还采用超频专用的 10 层PCB板堆叠设计，具备更强电气性能，优化信号传输，承受更大电流。性能提升无短板，巨大的超频潜力等着你去探索。并且配备专为超频设计的PMIC电源管理芯片，高效稳定供电的同时，不锁电压，让自主超频的极限玩家放开手脚探索。

DX100 配备大型压铸铝合金散热装甲，高导热硅胶条紧贴热源，快速散发掉颗粒的热量，为超频使用和高性能需求保驾护航。

目前DX100 可以到提供700MHz+的高频，以Intel XMP 3. 0 技术一键直达，部分型号还支持AMD EXPO，方便A家平台也可以一键享受高频带来的高带宽和低延迟。当然，如果你的平台足够给力，有专业超频知识支撑，挑战8000MHz高频并不是梦。

四、DDR5 内存超频需要调节的参数

首先是内存电压。DDR5 内存电压起始设定一般在1.1V。超到6400、6600、 6800 这样频率，内存电压会用到1.2V-1.35V。而要超到7000MHz以上频率，视情况要把内存电压提升到1.4-1.5V。

CPU电压中的SA电压，一般带K的处理器SA电压都给的很高，可以先不调整这个参数。不过要注意，SA电压过高，温度过高，也会影响到内存冲击更高频率。

CPU还有两个非常重要的电压参数可调，分别CPU VDDQ和CPU VDD2，也就是内存控制器的电压。注意，这 2 个电压在华硕主板上被写成是IVR以及MCV电压。

其中有大神表示，三星颗粒会对CPU VDD2 电压非常敏感，一般要控制在1.25-1.35V之间，太高反而会超频失败；CPU VDDQ电压一般区间在1.35~1.4V就可以了。而海力士颗粒则需要更高的CPU VDDQ电压，正常情况都要1.38V，要冲击高频率至少要到1.5V，CPU VDD2 电压则维持在1.2V以上，一般不超过1.35V。

总结：

还是那句老话，超频有风险，志在折腾也要量力而行。同时上文推荐DX100 内存精选海力士颗粒，在超频上下了很多功夫，感兴趣的小伙伴可以入手一套，挑战一番，惊喜不断哦。