西部数据发布两款3DNANDiNAND嵌入式闪存盘
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近期,存储行业好不热闹,尤其是西部数据公司,动作不断,继上月发布闪迪欣享自动备份充电座后,又于昨天发布两款全新iNAND嵌入式闪存盘,型号分别为iNAND®8521和iNAND®7550,借助西部数据的64层3DNAND技术和先进的UFS与e.MMC接口技术,这两款新型的智能嵌入式闪存盘能够提供卓越的数据性能和高容量存储。
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iNAND8521嵌入式闪存盘-满足旗舰移动设备5G网络中性能需求
iNAND8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计,采用UFS2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND7232嵌入式闪存盘,这次的iNAND8521提供了两倍的顺序写入速度1和高达10倍的随机写入速度2。通过快速并智能响应用户的应用性能需求,它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏,并且快速下载高清电影。此外,当服务提供商向5G网络演进时,iNAND8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。

iNAND7550嵌入式闪存盘-适用于灵敏的高容量主流智能手机
iNAND7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备,以满足消费者不断增长的存储需求,同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND7550嵌入式闪存盘基于e.MMC5.1规范,是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案,可提供高达260MB/秒的顺序写入性能以及20KIOPS和15KIOPS的随机读/写性能3,更有助于同时加快自身和应用启动的速度。
当这两款新品用于智能手机和轻薄型计算设备中时,它们可以为以数据为中心的大量应用加速,包括增强现实、高分辨率视频捕捉和丰富的社交媒体体验,当然还有新兴的终端人工智能(AI)和物联网(IoT),全面提升用户体验。

西部数据嵌入式集成解决方案产品市场总监包继红女士表示:NAND往两个方向发展,一个从2D向3DNAND发展,3DNAND可以承载更多的容量存储,3DNAND市场将于2028年占全球市场比例将近一半,另外关于存储速度和读取速度,从我们判断从UFS这个层面,从之前纯粹偏重高端市场,明年中低市场也会采用UFS功能。另外TLC也会拓展到一些终端市场,当然受到整个存储产品的库存供应比较紧张,我们判断明年会受到一些紧张,上半年可能好一些,下半年存储可能供应比较紧张。

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从行业来看,数据量、数据的产生速度、多样化和其带来的价值都持续呈指数级增长和演变,包括大数据、快速数据和个人数据各个方面,全球众多消费者都将在智能手机上体验到这些数据的整合。
CounterpointResearch智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生表示:“预计到2018年末,全球每部智能手机的平均存储容量将攀升到超过60GB,用以支持由设备上人工智能和增强现实所带来的日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。这推动了我们向先进的3DNAND嵌入式闪存解决方案演进,从而进一步推动这些丰富的体验。”
西部数据公司嵌入式和集成解决方案副总裁ChristopherBergey表示:“除了360度视频和多镜头摄像头,移动应用中人工智能的出现提供了更加沉浸式的体验,将把智能手机以数据为中心的特点提升到新的水平。我们创新的新型iNAND解决方案推动数据在高度密集的移动应用和体验中繁荣。我们将西部数据业界领先的X33DNAND技术、与新款增强的独特应用感知型SmartSLC技术相结合,为客户提供了我们智能的高性能iNAND设备。这些iNAND系列的全新解决方案使得我们能够继续从容应对全球变化多端的移动市场中日益提高的移动数据需求。