技术水平被Intel 7nm追上 台积电3nm艰难量产：下周见

2022年本来该是半导体工艺转向3nm量产的一年，然而今年台积电低调了许多，三星抢在6月份就宣布率先3nm工艺，抢走了名义上的3nm首发，台积电早前提到的9月份量产早已无效，官方承诺的是年底。

距离2022年还剩下最后几天了，台积电总算兑现了承诺，日前公司发布邀请函，下周将在南科举办量产暨扩厂典礼，届时会正式量产3nm工艺。

这个时间点宣布量产，2022年的3nm产量可以忽略不记，只是让台积电兑现今年量产3nm的承诺，真正有产品放量还要到2023年。

台积电之前公布了至少5种3nm工艺，现在还不好确定即将量产的是N3还是N3E，前者此前有爆料称已经被放弃，因为成本太高，苹果也不用了，导致没有客户，量产没有意义。

根据台积电说法，对比N5工艺，N3功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。

但是N3工艺实际的表现不一定有这么好，前不久在IEDM 2022大会上，台积电论文种公布了3nm下SRAM的真实密度，表现让人很担心。

3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米，相比于N5工艺的0.021平方微米只缩小了区区5％！

更糟糕的是，所谓的第二代3nm工艺N3E，SRAM单元面积为0.021平方微米，跟N5工艺毫无差别。

台积电这样挤牙膏的提升，让Intel有了追赶回来的机会，虽然3nm的SRAM密度还是要比Intel的10nm ESF（现在的Intel 7）高不少，但跟Intel的7nm EUV工艺（现在的Intel 4）相差无几。

台积电在下一代的2nm工艺上晶体管密度提升更少，官方数据也不过10%-20%，解释很容易就被Intel的20A、18A工艺超越了。