三星公布1.4nm工艺制程：芯片2027年投产「三星3纳米芯片2021年量产」

尽管NVIDIA CEO黄仁勋已经悲观方言，摩尔定律已死，但对于台积电、三星和Intel三大晶圆厂来说，他们在纳米尺度的芯片微缩步伐尚未停歇。

日前，三星在修订的路线图中首次公布了1.4nm工艺节点，并计划2027投产。

与此同时，三星也决定在2025年投产2nm工艺，大致和台积电同步。

实际上，三星此前已经宣布开始生产3nm GAA晶体管结构的芯片，虽然外界质疑首批产品只是被矿机厂商们当小白鼠”尝鲜。

至少和Intel相比，三星的进度并不超前，后者的18A工艺（相当于2nm）已经提前到2024年底投产。

其它工艺方面，三星接下来想把3nm（预计第二代）扩展到高性能计算和移动芯片上，同时为高性能计算以及汽车芯片开发专门的4nm制程。

此外，还有服务射频器件的5nm和8nm工艺，服务嵌入式非易失存储器（eNVM）的8nm、14nm以及28nm工艺等。

按照三星的说法，他们希望在2027年前将芯片产能提升3倍。