realme 真我 GT Neo3 正面照公布：居中打孔屏(realme gt neo拍照样张)

　　ITBEAR科技资讯3月18日消息，新机将在3月22日正式发布，今天官方公布了正面照。该机将配备天玑8100+独显芯片，全球首发150W快充。

　　realme中国区总裁徐起公布的实拍图显示，realmeGTNeo3将采用居中打孔屏幕方案，四面边框极窄，整体属于主流旗舰机水平。

　　据徐起早些时候透露，realme真我GTNeo3配备了天玑8100+独立显示芯片，性能更强，功耗更低。除天玑8100外，新机还配备了满血版LPDDR5+UFS3.1。

　　据了解，GTNeo3的另一个亮点是全球首发150W光速秒充，官方称5分钟充电50%，支持1600次循环充放电。