IT之家 9 月 12 日消息,据台媒《经济日报》报道,晶圆代工厂台积电 2nm 制程将于 2025 年量产,市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。
台积电先进制程进展顺利,3nm 将在今年下半年量产,升级版 3nm(N3E)制程将于 3nm 量产一年后量产,即 2023 年量产,2nm 预计于 2025 年量产。
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台积电 2nm 厂将落地竹科宝山二期扩建计划,“竹科管理局”已展开公共设施建设,台积电 2nm 厂也开始进行整地作业。
台积电 2nm 首次采用纳米片架构,相较 N3E 制程,在相同功耗下频率可提升 10% 至 15%。在相同频率下,功耗降低 25% 至 30%。
台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调,台积电 2nm 将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好,台积电 2nm 进度将领先对手三星及英特尔。
IT之家了解到,此前消息称,虽然在 3nm 世代略有保守,但无论如何,鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限,再向下就会遇到瓶颈,所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。